报告题目：铁电氧化物低维单晶材料的溶液生长与功能构筑

报告人：任召辉副教授    浙江大学

报告时间：2023年7月11日（周二）10:00

报告地点：理六栋302会议室        

邀请人：徐小志

报告内容：

钙钛矿铁电氧化物低维单晶材料具有丰富的压电、铁电以及多铁性能，在传感、信息存储、催化等领域应用前景广阔。在本次报告中，首先总结铁电氧化物的基本结构、物性与研究进展，探讨铁电极化屏蔽机制及其在畴结构稳定中的关键作用；提出利用极化屏蔽的静电效应驱动氧化物异质结、单晶薄膜的溶液外延，揭示表界面极化屏蔽机制对铁电氧化物形核-生长模式的关键调节机制，实现了铁电氧化物的层状外延生长，发展了铁电氧化物低维单晶材料的低温生长技术，获得了系列单畴铁电氧化物低维单晶材料。进一步地，我们探讨了这类材料的催化、光伏等性能，为铁电材料的功能构筑与应用拓展提供有意义的参考和指导。

专家简介：

任召辉，男，博士，浙江大学材料科学与工程学院副教授，博士生导师。前主要从事压电、铁电氧化物单晶材料的溶液生长及光电、传感和催化性能研究。以第一作者或通讯作者在Nat. Commun., Adv. Mater., Sci. Bull.等国际重要学术期刊发表论文80余篇，授权发明专利40余项，承担浙江省杰出青年基金、国家自然基金面上项目、国家自基金重点项目课题、国家重点研发计划研究课题等。