报告题目：面向层间互连的二维半导体制备

报告人：叶堉研究员  北京大学

报告时间：2023年3月30日（周四）10:00

报告地点：理六栋302会议室        

邀请人：周旭

报告内容：

后摩尔时代的半导体电子技术需要不断寻找新的技术解决方案将器件尺寸缩小到原子级别，同时寻找新的架构为半导体器件增加更多功能。由于其原子级厚度和可堆叠性，二维（2D）半导体材料有望打破传统硅基半导体单一逻辑单元层的限制，实现新的半导体芯片制造技术。通过理解1T'到2H-MoTe2的固-固相变机制，我们通过种子诱导的二维平面外延工艺实现了2H-MoTe2单晶晶圆的可控制备。此外，我们开发了精准控制掺杂的二维半导体2H-MoTe2的制备方法。掺杂晶圆可进一步通过直接异质外延在任意单晶衬底上或者任意三维架构上，不受晶格匹配和平面基底的限制，适用于多层级制备。精准的p型和n型掺杂和异质集成，使二维半导体的层间互连集成电路的实现更近了一步。

专家简介：

叶堉，北京大学6163银河.net163.am研究员、博士生导师。2012年获得北京大学博士学位，2012-2016年在加州大学伯克利分校从事博士后研究工作。2016-至今任北京大学6163银河.net163.am研究员（国家级青年人才），2022年获长聘职位。目前课题组（http://faculty.pku.edu.cn/yeyu/）主要研究方向为高质量二维半导体材料的可控制备，利用低温强磁场下的光谱和电磁输运技术研究二维材料及其异质结构的新奇物理特性，并构建相关器件。近年来，发表通讯或第一作者论文包括Science (2)、Nature Nanotechnology (3)、Nature Electroincs、Nature Synthesis、Nature Photonics、Nature Communications (3)、PRX、PRL、JACS 在内的科学论文100余篇，引用超过7300次，h因子为40。