报告题目：低维单晶材料中的表面物理思想

报告人：徐小志研究员

报告时间：2022年10月13日（周四）下午18:30-20:40

报告地点：大学城校区教学楼2-102

报告内容：

  报告主要介绍二维单晶材料的制备进展，重点介绍表面物理思想在这些单晶材料制备过程中的重要作用。

报告人简介：

  徐小志，研究员，博士生导师。2017年博士毕业于北京大学，2017-2019年在北京大学6163银河.net163.am从事博士后研究，2019年7月入职6163银河.net163.am。主要从事大尺寸二维单晶材料的生长设计与物态调控研究，代表性成果包括：（1）提出利用表面悬挂键断裂释放局域元素调控二维材料生长动力学势垒和热力学能级的方法，实现石墨烯超快生长；（2）提出利用表面原子结构调控二维材料生长的方法，实现了大尺寸单晶石墨烯、氮化硼和过渡金属硫族化合物制备；（3）提出利用表面能与界面能调控晶面指数的方法，实现30余种A4尺寸高指数单晶铜箔制造。发表通讯/第一作者论文16篇，包括Nature正刊2篇、Nature子刊3篇，获授权发明专利16项。获得“中国十大新锐科技人物”、“广东省杰出青年基金”等奖励或资助。研究工作入选2020年度中国重大技术进展、2020年中国半导体十大研究进展。